IT之家 2 月 22 日消息，三星在国际固态电路会议（ISSCC）中基于 LPDDR5 规格推出了全新技术 ——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。相应 DRAM 芯片采用 1.05V 标准电压和公司第五代 10nm 级 DRAM 工艺，可实现高达 12700 MT/s 的数据传输速率，刷新了 LPDDR5X 的最高纪录。
三星表示，为达到如此高的速率，该公司引入了两项专有电路级技术“四相自校准环路”和“AC 耦合收发器均衡技术”。
在“四相自校准环路”方面，三星表示这种技术可确保 DRAM 内部四个时钟相位（0°、90°、180°、270°）在高速传输过程中保持精确对齐。由于即使微小的相位偏差（相位偏移）也会影响时序和性能，而目前该公司推出的这一校准环路记录可测量各相位对（例如 0° 与 180°、90° 与 270°）之间的偏差，并通过“翻转”和“不翻转”两步比较，自动补偿真实的时钟相位误差，从而调整各相位以保持整齐均匀的时钟边缘。
三星还介绍了“AC 耦合收发器均衡技术”，称在高速数据传输时，信号容易遭受衰减和码间串扰，而三星这一技术主要通过提升时钟信号、均衡接收器以及对发射器进行预加重，确保信号在传输过程中维持高质量，从而满足甚至超越 JEDEC 对 LPDDR5X 的数据传输和功耗要求。
根据三星报告，采用了上述技术的 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM 芯片在 1.05V 下可实现最高 12700 MT/s 的数据传输速率；而在 10700 MT/s 的运行条件下，其稳定性依然保持在 0.9V 以上，三星称“这验证了公司内存产品技术的可靠性”。
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